[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710070055.X 申请日: 2007-07-17
公开(公告)号: CN101097981A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 杨德仁;马向阳;章圆圆;陈培良;阙端麟 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 韩介梅
地址: 310027浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开的电致发光器件是二氧化钛电致发光的器件,由硅衬底、自下而上依次沉积在硅衬底正面的TiO2薄膜和ITO电极以及沉积在硅衬底背面的欧姆接触电极组成。其制备步骤如下:先将P型或N型硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中,反应室抽真空,以纯钛金属为靶材,以Ar作为溅射气氛,进行溅射沉积,得到Ti膜;然后将Ti膜在O2气氛下热氧化,生成TiO2薄膜。在TiO2薄膜上溅射ITO电极,在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明的器件结构和实现方式简单,制得的硅基二氧化钛电致发光器件的电致发光峰位在450nm、515nm和600nm,并且该器件的制备方法所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容,易实现大规模、低成本制造的优点。
搜索关键词: 一种 电致发光 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种电致发光器件,其特征在于它是二氧化钛电致发光的器件,由硅衬底(1)、自下而上依次沉积在硅衬底正面的TiO2薄膜(2)和ITO电极(3)以及沉积在硅衬底背面的欧姆接触电极(4)组成。
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