[发明专利]一种CMOS低功耗、低失调电压、低回程噪声比较器有效

专利信息
申请号: 200710070175.X 申请日: 2007-07-23
公开(公告)号: CN101355351A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 莫太山;马成炎;叶甜春 申请(专利权)人: 杭州中科微电子有限公司
主分类号: H03K5/24 分类号: H03K5/24;H03M1/34
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 代理人: 王鑫康
地址: 310053浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于无线通信系统技术领域,公开一种CMOS低功耗、低失调电压、低回程噪声比较器,包括前置放大器,一对开关管,正反馈锁存器,CMOS反相器,SR锁存器。前置放大器采用PMOS管作输入差分对,二极管连接NMOS管与正反馈连接NMOS管并行连接作负载的电路结构,可减小比较器失调电压;在前置放大器和正反馈锁存器之间插入一对开关管,可减小比较器回程噪声;正反馈锁存器采用交叉耦合CMOS反相器电路结构,并在再生节点之间连接一个复位管,不仅减小比较器功耗,而且提高再生速度。本发明的比较器良好的低功耗、低失调电压、低回程噪声特性,不需采用失调取消技术,就可广泛应用于无线通信系统的6~8Bit中高精度的低功耗高速模数转换器。
搜索关键词: 一种 cmos 功耗 失调 电压 回程 噪声 比较
【主权项】:
1.一种CMOS低功耗、低失调电压、低回程噪声比较器,包括前置放大器和正反馈锁存器以及SR锁存器,其特征在于:所述的前置放大器是以PMOS双差分对管为输入差分对,以一对二极管连接的NMOS管与一对正反馈连接的NMOS管并行连接为有源负载的电路结构;所述的正反馈锁存器是两个交叉耦合的NMOS管、PMOS管对,通过两个时钟控制的NMOS使能管连接到地,并在两个输出再生节点P与N之间连接一只复位管的电路结构;前置放大器和正反馈锁存器之间接入一对NMOS开关管;正反馈锁存器与SR锁存器之间接入两个CMOS反相器,正反馈锁存器的输出再生节点连接两个CMOS反相器的输入端,两个CMOS反相器的输出端分别与SR锁存器的输入端相连,SR锁存器的二路输出端为Q+和Q-。
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