[发明专利]一种具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法无效
| 申请号： | 200710070401.4 | 申请日： | 2007-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101165224A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;陈加和;马向阳;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B15/06 | 分类号： | C30B15/06;C30B33/02;C30B31/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法，硅片的氧浓度为5～15×1017cm－3，锗浓度为1×1013～1×1020cm－3，洁净区宽度为10～100μm，体微缺陷密度为1×105～1×1010cm－3。经过基于快速热处理过程的内吸杂工艺处理制备，由于直拉硅片中的微量锗原子可以在硅片中与快速热处理过程中注入的空位形成一定的复合体促进氧沉淀生成，硅片中在近表面形成具有一定宽度无缺陷的洁净区，并使得体内的体微缺陷(氧沉淀和二次缺陷)密度显著提高，因此，具有较高的内吸杂能力，对有害金属具有更好的吸杂效果，该硅片应用于制造集成电路，可以提高集成电路的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 内吸杂 功能 硅片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有内吸杂功能的掺锗硅片，硅片的氧浓度为5～15×1017cm-3，锗浓度为1×1013～1×1020cm-3，其特征是洁净区宽度为10～100μm，体微缺陷密度为1×105～1×1010cm-3。
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