[发明专利]一种碳化铝纳米带的合成方法无效
| 申请号： | 200710071085.2 | 申请日： | 2007-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101125652A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 陈建军;王耐艳;高林辉 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/30 | 分类号： | C01B31/30;B82B3/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化铝纳米带的合成方法。装有铝硅合金的坩埚置于炉内，关闭炉门抽真空至50Pa～10－3Pa，然后充入保护气氩气，再升温到700℃～1600℃之间保温1－20小时，然后自然冷却至常温，在合金表面及石墨坩埚内壁上生成许多黄色的碳化铝纳米带。本发明制备的碳化铝纳米带厚度薄、杂质少；碳化铝纳米带的长度长，能达到几个毫米；生长碳化铝纳米带的成本很低；不存在环境污染、制备设备简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化 纳米 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化铝纳米带的合成方法，其特征在于该方法的步骤如下：装有铝硅合金的坩埚置于炉内，关闭炉门抽真空至50Pa～10-3Pa，然后充入保护气氩气，再升温到700℃～1600℃之间保温1-20小时，然后自然冷却至常温，在合金表面及石墨坩埚内壁上生成许多黄色的碳化铝纳米带。
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