[发明专利]AFM探针纳米压痕实现高密度信息存储的方法无效
| 申请号： | 200710072530.7 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101136227A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 王铀;洪晓东;曾俊 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G11B9/14 | 分类号： | G11B9/14;C08J5/18;C08L25/06 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | AFM探针纳米压痕实现高密度信息存储的方法，本发明涉及一种高密度信息存储的方法。它克服了现有技术只能写入信息而不能擦除的缺陷。本发明通过下述步骤实现：一、制得苯乙烯－乙烯－丁二烯－苯乙烯(SEBS)嵌段共聚物薄膜，并使该薄膜的相分离形态为球形结构；二、利用AFM扫描探针在薄膜表面进行敲击以形成纳米压痕，以实现高密度信息存储中的“写入”过程；三、对该薄膜进行加热处理，薄膜表面的纳米压痕回复，实现存储信息的“擦除”。本发明制备了一种特殊功能膜，使得AFM探针在敲击模式下可以利用针尖与薄膜间的敲击力在薄膜表面制备纳米压痕，并且此压痕可以通过高温处理来擦除。处理温度越高，压痕消失速度越快。 | ||
| 搜索关键词： | afm 探针 纳米 压痕 实现 高密度 信息 存储 方法 | ||
【主权项】：
1.AFM探针纳米压痕实现高密度信息存储的方法，其特征在于它通过下述步骤实现：一、制得苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物薄膜，并使该薄膜的相分离形态为球形结构；二、利用AFM扫描探针敲击薄膜表面形成纳米压痕，以实现高密度信息存储中的“写入”过程；三、对该薄膜进行加热处理，薄膜表面的纳米压痕回复，实现存储信息的“擦除”。
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