[发明专利]一种采用磁控溅射制备薄膜的方法

摘要

一种采用磁控溅射沉积制备薄膜的方法，它涉及薄膜的制备方法。它解决了现有溅射出的薄膜面积较磁控靶面积小、均匀性较差和靶材的利用率低的问题。本发明的方法为：一，选用靶材，并将衬底置于旋转加热台上；二，将加热台用真空仓密封，抽真空，通入Ar气，电离清洗；三，启动加热灯组，加热到沉积薄膜所需要的温度并保温；四，向真空仓内通入启辉气体，施加溅射功率，控制气体流量，在衬底上加负偏压，移开挡板，开始向衬底表面镀膜；五，采用两台步进电机分别控制旋转加热台和靶的运行轨迹来控制镀膜；六，待真空仓内温度降至室温时即制得薄膜。本发明改变了现有的只能用大靶才能制备大面积薄膜的现状，膜厚易于控制，而且薄膜的均匀度高。

主权项

1、一种采用磁控溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于该方法的步骤如下：步骤一、选用需镀膜材料作为靶材，并将衬底置于旋转加热台上，该加热台位于真空仓内；步骤二、将真空仓密封，通过真空获得系统，将真空仓内抽成真空，当真空仓内真空度达到9.9×10-4～1.0×10-4帕时，通入Ar气，当真空仓内压强为3～5帕时，启动电离电源，对衬底表面进行电离清洗，电离清洗3～5分钟；步骤三、电离清洗结束后，启动加热灯组，加热到沉积薄膜所需要的温度，加热至25～750℃，并且保温10分钟～1小时；步骤四、向真空仓内通入启辉气体，当真空仓内气体压强在3～5帕时启辉，施加溅射功率，溅射功率为50～400瓦，进行预溅射3～10分钟，气体流量控制在10sccm～90sccm，真空仓内气体压强降至0.1～2帕，在衬底上加0～600伏的负偏压，移开挡板；步骤五、采用步进电机来连续控制旋转加热台的转速，转速控制在15转/分钟内变化，同时用另一步进电机来控制加热台上方靶的运行轨迹，靶沿着加热台圆心向外圆以步长为2～5mm的间歇运动来控制向衬底表面镀膜；步骤六、步骤五完成后，关闭电源，待真空仓内温度降至室温时即制得本发明的薄膜。