[发明专利]一种可后续加工的低辐射玻璃及其制造方法无效
申请号: | 200710074842.1 | 申请日: | 2007-06-06 |
公开(公告)号: | CN101066845A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
发明(设计)人: | 陈可明;曾小绵 | 申请(专利权)人: | 深圳市南玻伟光镀膜玻璃有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;C23C14/34;C03C4/00 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张皋翔 |
地址: | 518067广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种可后续加工的低辐射玻璃的制造方法,包括:玻璃基片镀膜前的清洗、干燥处理和镀膜完成后的检验,其特征在于:采用真空磁控溅射镀膜工艺在玻璃上依次镀制:氮化硅(Si3N4)膜层、氧化锌锡(ZnSnOx)膜层、氧化镍铬(NiCrOx)膜层、银(Ag)膜层、氧化镍铬(NiCrOx)膜层、氧化锌锡(ZnSnO)膜层和氮化硅(Si3N4)膜层。本发明采用独特的膜层配置结构制造出的产品具有低辐射率,光学性能稳定、颜色多样,能在700℃高温下,进行钢化、热弯和弯钢化等强化处理;能完全满足长途运输、储存(储存时间可超过八个月)、能满足在异地加工、切割、掰片、磨边、钻孔、清洗等后续加工的要求,在这些过程中,产品不脱膜、不氧化,产品能推广到民用住宅。 | ||
搜索关键词: | 一种 后续 加工 辐射 玻璃 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种可后续加工的低辐射玻璃的制造方法,包括:玻璃基片镀膜前的清洗、干燥处理和镀膜完成后的检验,其特征在于:采用真空磁控溅射镀膜工艺,在镀膜线配置高抽速的无油分子泵,背景真空在高真空3*10-6mbar以上,并按以下步骤在玻璃上镀制:(1)、在玻璃表面镀制氮化硅(Si3N4)基层电介质组合膜层(1),采用中频电源加旋转在氩氮氛围中溅射沉积,功率为80kw-90kw,中频电源频率为40kHz,膜层厚度为35-40nm;(2)、在玻璃的氮化硅(Si3N4)基层电介质组合膜层(1)上镀制氧化锌锡(ZnSnOx)基层电介质组合膜层(2),采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中溅射沉积,功率为50kw-60kw,中频电源频率为40kHz,膜层厚度为10-15nm;(3)、在玻璃的氧化锌锡(ZnSnOx)基层电介质组合层(2)上镀制氧化镍铬(NiCrOx)阻挡膜层(1),在氩氧氛围中溅射镍铬合金,功率为2kw,膜层厚度为2-3nm;(4)、在玻璃的氧化镍铬(NiCrOx)阻挡膜层(1)上镀制银(Ag)膜层,在氩气氛围中沉积,功率为2kw,膜层厚度为12nm;(5)、在玻璃的银(Ag)层上镀制氧化镍铬(NiCrOx)阻挡膜层(2),在氩氧氛围中溅射镍铬合金,功率为2kw,膜层厚度为2-3nm;(6)、在玻璃的氧化镍铬(NiCrOx)阻挡膜层(2)上镀制氧化锌锡(ZnSnO)上层电介质组合膜层(1),采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中溅射沉积,功率为50kw-60kw,中频电源频率为40kHz,膜层厚度为10-15nm;(7)、在玻璃的氧化锌锡(ZnSnO)上层电介质组合膜层(1)上镀制氮化硅(Si3N4)上层电介质组合膜层(2),采用中频电源加旋转在氩氮氛围中溅射沉积,功率为80kw-90kw,中频电源频率为40kHz,膜层厚度为35-40nm。
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