[发明专利]一种高密度碳纳米管阵列的制备方法在审
| 申请号： | 200710075316.7 | 申请日： | 2007-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101353164A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 王鼎;宋鹏程;刘长洪;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高密度碳纳米管阵列制备方法，该方法包括以下步骤：提供一形成于一基底的碳纳米管阵列；提供一高弹性薄膜；均匀拉伸上述的高弹性薄膜后，附着在上述碳纳米管阵列上，同时对该高弹性薄膜均匀地施加压力；保持压力并收缩高弹性薄膜，撤去压力后，分离碳纳米管阵列与高弹性薄膜，从而得到高密度碳纳米管阵列。该制备方法简单易行，所制备的碳纳米管阵列密度高且均匀地定向排列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高密度碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一形成于一基底的碳纳米管阵列；提供一高弹性薄膜；均匀拉伸上述的高弹性薄膜后，附着在上述碳纳米管阵列上，同时对该高弹性薄膜均匀地施加压力；保持压力并收缩高弹性薄膜，撤去压力后，分离碳纳米管阵列与高弹性薄膜，从而得到高密度碳纳米管阵列。
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