[发明专利]高密度碳纳米管阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 200710076392.X | 申请日： | 2007-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101338452A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 罗春香;张晓波;姜开利;刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B29/62;C30B25/00;C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高密度碳纳米管阵列，该高密度碳纳米管阵列中的碳纳米管排列紧密，且定向排列，具有类一维单晶结构，密度为0.1～2.2g/cm3。本发明还涉及一种制备高密度碳纳米管阵列的方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；沿着平行于基底的方向，施加压力挤压上述碳纳米管阵列，从而得到高密度碳纳米管阵列，该制备方法工序简单，易于实际应用、效率较高且制备的碳纳米管阵列的密度可以控制。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高密度碳纳米管阵列，包括多个碳纳米管，其特征在于，该高密度碳纳米管阵列中的碳纳米管排列紧密，且定向排列，具有类一维单晶结构，密度为0.1～2.2g/cm3。
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