[发明专利]靶材以及该靶材所制造的薄膜无效
| 申请号： | 200710078740.7 | 申请日： | 2007-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101245443A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李仲仁;赵勤孝;毛庆中 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明主要提供一种靶材，其元素组成IBx－IIIAy－VIAz；其中，IB选自于以下群组中的至少一种：Cu及Ag；IIIA选自于以下群组中的至少一种：In及Ga；VIA选自于以下群组中的至少一种：S、Se及Te；x、y、z分别为IB、IIIA、VIA含量的原子百分比，且0≤x＜1、0≤y＜1、0＜z＜1，x+y+z＝1；该靶材的制作方法包含：形成预合金：将一靶材元素与靶材元素组成中一种以上的其它元素合成预合金；造粉：将预合金制成粉末；混粉：将所述粉末直接混合或再与其它元素或预合金粉末混合；烧结：混合粉末经烧结后形成靶材。本发明还提供一种用于太阳能电池的薄膜，其是使用上述的靶材溅镀制成。 | ||
| 搜索关键词： | 以及 制造 薄膜 | ||
【主权项】：
1. 一种靶材，其元素组成为IBx-IIIAy-VIAz；其中，IB选自于以下群组中的至少一种：Cu及Ag；IIIA选自于以下群组中的至少一种：In及Ga；VIA选自于以下群组中的至少一种：S、Se及Te；x为IB含量的原子百分比、y为IIIA含量的原子百分比、z为VIA含量的原子百分比，且满足0≤x＜1、0＜y＜1、0＜z＜1，x+y+z＝1。
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