[发明专利]去除光致抗蚀剂、蚀刻残余物和BARC的配制料

摘要

一种去除光致抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、蚀刻残余物或BARC的配制料，其中该配制料包括：氢氧化铵和2-氨基苯并噻唑、余量的水。优选地，该配制料包括：氢氧化四甲基铵、甲苯基三唑、丙二醇、2-氨基苯并噻唑、二丙二醇单甲醚、余量的水；更优选：氢氧化四甲基铵1—15重量％、甲苯基三唑1—5重量％、丙二醇5—15重量％、2-氨基苯并噻唑1—10重量％、二丙二醇单甲醚20—45重量％、余量的水。本发明还是一种从基底去除选自光致抗蚀剂、蚀刻残余物、BARC以及它们的组合的物质的方法，其包括：将上述的配制料施用到所述基底从而从所述基底去除所述物质。

主权项

一种去除光致抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、BARC和/或蚀刻残余物的配制料，其中该配制料包括：氢氧化铵、2‑氨基苯并噻唑、0‑60重量％的水溶性的有机溶剂，其选自二甲基乙酰胺、N‑甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、N‑甲基甲酰胺、二甲基‑2‑哌啶酮、四氢糠醇、甘油、乙二醇、亚砜、丙二醇、四氢糠醇、双丙酮醇、1，4‑环己烷二甲醇、乙二醇醚及它们的混合物所组成的群组、0‑20重量％的腐蚀抑制剂，该腐蚀抑制剂选自甲苯基三唑、苯并三唑、间苯二酚、马来酸酐、邻苯二甲酸酐、儿茶酚、连苯三酚、羧基苯并三唑、果糖、硫代硫酸铵、甘氨酸、四甲基胍、亚氨基二乙酸、二甲基乙酰乙酰胺、三羟基苯、二羟基苯、水杨基羟肟酸及它们的混合物所组成的群组、余量的水，并且该氢氧化铵不含有超过100ppm的污染物金属。