[发明专利]增进图案均匀度的方法有效
申请号: | 200710079428.X | 申请日: | 2007-03-12 |
公开(公告)号: | CN101266913A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 陈育锺;蔡世昌;李俊鸿 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/311;H01L21/768;H01L21/82 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种增进图案均匀度的方法,适用于包含有图案密集区与图案半空旷区的基底。基底上已依序形成有阻绝层与底抗反射层。此方法是先在底抗反射层上形成一层图案化光阻层,图案化光阻层包括位于图案密集区的第一光阻图案,与位于图案半空旷区的第二光阻图案,其中,第二光阻图案的尺寸大于第一光阻图案的尺寸。之后,进行第一修剪步骤,微缩图案化光阻层,同时,以图案化光阻层为罩幕,移除部分底抗反射层。接着,进行第二修剪步骤,同时微缩图案化光阻层与底抗反射层,并且缩小第二光阻图案与第一光阻图案的尺寸差。本发明具有增进图案均匀度的功效。 | ||
搜索关键词: | 增进 图案 均匀 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种增进图案均匀度的方法,适用于一基底,该基底包括一图案密集区与一图案半空旷区,且该基底上已依序形成有一阻绝层与一底抗反射层,其特征在于该方法包括:在该底抗反射层上形成一图案化光阻层,该图案化光阻层包括:一第一光阻图案,位于该图案密集区;以及一第二光阻图案,位于该图案半空旷区,其中,该第二光阻图案的尺寸大于该第一光阻图案的尺寸;进行一第一修剪步骤,微缩该图案化光阻层,同时,以该图案化光阻层为罩幕,移除部分该底抗反射层;以及进行一第二修剪步骤,同时微缩该图案化光阻层与该底抗反射层,以缩小该第二光阻图案与该第一光阻图案的尺寸差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710079428.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:协同的含银杀虫剂组合物
- 下一篇:乙烯聚合物和共聚物的制造方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造