[发明专利]一种保护静电放电的硅控整流器有效
| 申请号： | 200710079578.0 | 申请日： | 2007-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN101257005A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 石俊;王政烈 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 包红健 |
| 地址： | 215123江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种保护静电放电的SCR，包括衬底；至少一个N阱和/或至少一个P阱，设于衬底的上方；分别含有至少一个触点的第一N+区域和第一P+区域，形成于N阱或N型衬底，用作SCR的阳极；分别含有至少一个触点的第二N+区域和第二P+区域，形成于P阱或P型衬底，用作SCR的阴极；第一P+区域位于SCR的基本中部位置，第一N+区域、第二N+区域和第二P+区域的形状为由内向外依次顺序排列的闭合环状或中空的多边形，其中，第一P+区域位于第一N+区域的中空部，第一N+区域位于第二N+区域的中空部，第二N+区域位于第二P+区域的中空部。本发明可以更有效的节省面积，更多的提供ESD电流路径，使得触发电压更均匀，提高ESD防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护 静电 放电 整流器 | ||
【主权项】：
1. 一种保护静电放电的硅控整流器，包括衬底；至少一个N阱和/或至少一个P阱，设于上述衬底的上方；分别含有至少一个触点的第一N+区域和第一P+区域，形成于上述N阱或N型衬底，用作上述硅控整流器的阳极；分别含有至少一个触点的第二N+区域和第二P+区域，形成于上述P阱或P型衬底，用作上述硅控整流器的阴极；其特征是，上述第一P+区域位于上述硅控整流器的基本中部位置，上述第一N+区域、上述第二N+区域和上述第二P+区域的形状为由内向外依次顺序排列的闭合环状或中空的多边形，其中，上述第一P+区域位于上述第一N+区域的中空部，第一N+区域位于上述第二N+区域的中空部，上述第二N+区域位于上述第二P+区域的中空部。
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