[发明专利]一种具有陷光结构的硅薄膜光电池

摘要

一种具有陷光结构的硅薄膜光电池，属于太阳能利用领域。基本结构由下而上为玻璃基片、二氧化硅层、透明导电薄膜、P型半导体硅层、I型半绝缘硅层、N型半导体硅层、银和抗氧化金属组成的复合薄膜反射电极。在反射电极下面的硅层具有在低熔点金属非连续岛状薄膜保护下刻蚀形成的横向尺寸和厚度方向尺寸都小于300纳米的小岛状的起伏表面。本发明具有结构简单、效果好、适合规模化量产的特点，适合大面积硅薄膜光电池的应用。

主权项

1. 一种具有陷光结构的硅薄膜光电池，基本结构由下而上为玻璃基片10、二氧化硅隔离层11、透明导电薄膜12、P型半导体硅层13、I型半绝缘硅层14、N型半导体硅层15、银和抗氧化金属组成的复合薄膜反射电极16，其特征在于：在所述的反射电极下面的硅层具有在低熔点金属非连续岛状薄膜保护下刻蚀形成的横向尺寸和厚度方向尺寸都小于300纳米的小岛状的起伏表面。