[发明专利]薄膜形成基板及其薄膜形成装置无效
| 申请号： | 200710079688.7 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101255543A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 泷泽力;中山贵道;柏木邦宏;坂本雄一 | 申请（专利权）人： | 微电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜形成基板及其薄膜形成装置，该薄膜形成基板为达到液晶显示装置的透明电极等可使用程度的、将电阻率减少的ZnO薄膜的形成基板。形成如下的ZnO薄膜的形成基板及其薄膜形成装置，将作为成膜材料的Zn材料蒸发，将蒸发的Zn材料用微波氧等离子体氧化，将ZnO化合物在基板上堆积形成薄膜，进一步，将形成薄膜的ZnO薄膜曝于微波氢等离子体中，减少电阻率、赋予导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 及其 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜形成基板，其特征在于该薄膜形成基板结构如下：将在基板上堆积了ZnO化合物的透明薄膜形成基板曝于氢等离子体中，使透明薄膜的电阻率减小，使导电性薄膜改性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微电子株式会社，未经微电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710079688.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
