[发明专利]用于PDP的保护层材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200710079693.8 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101162674A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 金廷硕;郑锡;金有汉;表进镐;金容奭;朴京贤 | 申请（专利权）人： | 株式会社希岩肯 |
| 主分类号： | H01J17/02 | 分类号： | H01J17/02;H01J17/04;H01J11/02;H01J9/02;H01J9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在等离子显示面板的前部基板上形成的MgO保护层及制备保护层的方法。使用MgO颗粒作为沉积源经过真空沉积法制备保护层，其中该MgO同时掺杂碱土金属中BeO和/或CaO的第一掺杂材料以及选自Sc2O3，Sb2O3，Er2O3，Mo2O3和Al2O3的第二掺杂材料。该保护层明显提高PDP的放电效率并且缩短了放电延迟时间，所以它可以应用到单扫描PDP，而且，通过减少电子元件的数目而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 pdp 保护层 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于AC PDP的保护层，所述保护层使用沉积源经过真空沉积方法形成，所述沉积源包含选自BeO和CaO的至少一种第一掺杂材料以及选自Sc2O3，Sb2O3，Er2O3，Mo2O3和Al2O3的至少一种第二掺杂材料。
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