[发明专利]超平坦化学机械抛光技术之方法及使用该方法制造的半导体组件有效
| 申请号： | 200710080281.6 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101244533A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡勇;褚宏深 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香港科*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超平坦化学机械抛光技术(Super FlatChemical Mechanical Polishing(SF－CMP))之方法，其主要是一种在半导体之制作过程中用以取代激光剥离(laser lift－off)之方法。SF－CMP主要步骤是在想要抛光的表面上，先植入复数个抛光停止点后再进行抛光。其特征在于该等抛光停止点的材料之硬度大于该表面的材料之硬度。此方法可以在不需移除抛光停止点的情形下获得超平坦的抛光表面。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 化学 机械抛光 技术 方法 使用 制造 半导体 组件 | ||
【主权项】：
1. 一种在半导体制程中制作超平坦平面之方法，该方法包含以下步骤：(a)提供一第一物质，用于形成一第一层；(b)提供一第二物质，用于在该第一层之一面上形成一第二层；(c)蚀刻该第二层，用于产生复数个露出该第一层的表面之沟槽；(d)填充一硬度大于该第一物质及该第二物质之第三物质于该等沟槽中形成复数个抛光停止点；(e)移除该等沟槽外之该第三物质，而暴露出该第二层之表面；(f)把第二层之表面粘附于一导电之第四物质上；以及(g)用机械或化学机械方法磨除第一物质暴露出第二层物质。
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