[发明专利]通过晶片承载器温度偏置来改变晶片表面温度的系统和方法无效
| 申请号： | 200710084013.1 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101054718A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | A·谷拉瑞;E·A·阿穆尔;R·霍夫曼;J·克鲁尔 | 申请（专利权）人： | 维高仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B25/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 胡晓萍 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于均匀地加热放置在用于诸如化学汽相沉积反应器之类的晶片处理系统的晶片承载器中的衬底的方法，其中，晶片间隔室的第一图案设置在晶片承载器的顶部，如晶片承载器的一个或多个环，而不同于晶片承载器材料的嵌入材料的第二图案嵌入在晶片承载器的底部，嵌入材料的第二图案基本是晶片间隔室的第一图案的凹凸反相，使得在无晶片间隔室的中间区中至少有与有晶片和晶片间隔室的晶片承载区中一样多的材料界面。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 晶片 承载 温度 偏置 改变 表面温度 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片承载器，包括：晶片承载器结构；由所述晶片承载器结构的第一材料形成的第一表面，所述第一表面包括多个嵌入的晶片间隔室；与所述晶片承载器结构上的所述第一表面相对设置的第二表面，所述第二表面包括与所述第一材料接合的第二材料层；以及，所述第二材料基本覆盖除所述第二表面中基本与所述第一表面上的所述多个嵌入的晶片间隔室相对的区域外的全部的所述第二表面。
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