[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710084324.8 | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101257046A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 郑博伦 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，其包括基底、栅极结构、间隙壁、具有硼掺杂的第一多晶硅锗层与第二多晶硅锗层。其中，基底中具有两个开口，栅极结构配置在两个开口之间的基底上。间隙壁配置在栅极结构的侧壁，且位于部分两个开口上方。另外，第一多晶硅锗层配置在基底的两个开口表面上，而第二多晶硅锗层配置在第一多晶硅锗层上，且第二多晶硅锗层的顶部高于基底的表面。其中，第一多晶硅锗层的硼浓度低于第二多晶硅锗层的硼浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体元件，包括：基底，该基底中具有两个开口；栅极结构，配置在该两个开口之间的该基底上；间隙壁，配置在该栅极结构的侧壁，且位于部分该两个开口上方；具有硼掺杂的第一多晶硅锗层，配置在该基底的该两个开口表面上；以及具有硼掺杂的第二多晶硅锗层，配置在该第一多晶硅锗层上，且该第二多晶硅锗层的顶部高于该基底的表面，其中该第一多晶硅锗层的硼浓度低于该第二多晶硅锗层的硼浓度。
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