[发明专利]固态成像器件无效
申请号: | 200710084725.3 | 申请日: | 2007-02-26 |
公开(公告)号: | CN101075625A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 加纳孝俊;内田干也 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/8238 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供了一种降低所产生的噪声并容易使用的固态成像器件以及制造这种固态成像器件的方法。在包括固态成像器件1的多个MOS晶体管中,使用引入了P型杂质的多晶硅来形成像素5中所包括的N型MOS晶体管109a和109b的栅极108a和108b中的至少一个。在这种情况下,同时进行将P型杂质引入到N型MOS晶体管109a或109b的栅极108a或108b中以及将P型杂质引入到P型MOS晶体管109c的栅极108c中。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 | ||
【主权项】:
1、一种包括像素区的固态成像器件,在该像素区中,多个像素以矩阵形式设置在半导体衬底上,其中所述多个像素中的每一个包括:光电二极管,用于对入射光进行光电转换;以及放大晶体管,用于放大该光电二极管输出的像素信号,并且所述放大晶体管是掩埋沟道型MOS晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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