[发明专利]内藏电子部件型模块及内藏电子部件型模块的制作方法无效

专利信息
申请号: 200710085072.0 申请日: 2007-02-28
公开(公告)号: CN101034700A 公开(公告)日: 2007-09-12
发明(设计)人: 新井良之;竹原秀树 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/16;H01L23/29;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种内藏电子部件型模块及其制作方法,其目的为解决因在二次组装回流焊中经历的加热所产生的芯片部件上移导致内藏电子部件型模块可靠性下降的问题。内藏电子部件型模块(10)包括树脂布线衬底(11)、搭载在该树脂布线衬底表面的多个电子部件(15…)、将该各电子部件电连接到该树脂布线衬底的焊锡(22)、对该各电子部件和该焊锡进行封装的封装树脂(21)。且该封装树脂的平均线膨胀系数(α)在17×10-6/℃以上且110×10-6/℃以下,平均线膨胀系数(α)是用该树脂的玻璃转移温度、玻璃转移温度以下的线膨胀系数(α1)、玻璃转移温度以上的线膨胀系数(α2)和室内温度及回流焊时的最高温度计算出的。
搜索关键词: 内藏 电子 部件 模块 制作方法
【主权项】:
1.一种内藏电子部件型模块,包括:布线衬底;电子部件,该电子部件设置在上述布线衬底的表面;焊锡,该焊锡使上述电子部件电连接到上述布线衬底的表面;封装树脂,该封装树脂设置在上述布线衬底的表面,对上述电子部件和上述焊锡进行封装,其特征在于:用下记算式1计算得出的上述封装树脂的平均线膨胀系数α在17×10-6 /℃以上且110×10-6/℃以下,α={α1×(Tg-Tr)+α2×(Tp-Tg)}/(Tp-Tr)…(算式1)在此,算式1中,α1是在玻璃转移温度以下的温度时的上述封装树脂的线膨胀系数值,α2是在玻璃转移温度以上的温度时的上述封装树脂的线膨胀系数值,Tg是上述封装树脂的玻璃转移温度,Tr是室内温度,Tp是组装时的最高温度。
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