[发明专利]制作微型连接器的方法无效
申请号: | 200710085437.X | 申请日: | 2007-03-05 |
公开(公告)号: | CN101261940A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 邱铭彦 | 申请(专利权)人: | 探微科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种制作微型连接器的方法,其包括提供晶片,在晶片的第一表面蚀刻出多个孔,并且形成填满各孔的内部导电层,以及在第一表面上形成第一表面导电层。接着在第一表面导电层上形成第一绝缘图层。之后进行薄化工艺,将晶片的第二表面薄化,暴露出各孔内的内部导电层。最后在第二表面形成第二表面导电层,且该第二表面导电层通过该内部导电层与该第一表面导电层电性连接。 | ||
搜索关键词: | 制作 微型 连接器 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种制作微型连接器的方法,包含有:提供晶片,该晶片包含有第一表面与第二表面;在该晶片的该第一表面形成第一介电层,然后图案化该第一介电层,该第一介电层包含有多个第一开口,并且各该第一开口暴露出该第一表面;在这些第一开口暴露出的该第一表面蚀刻出多个孔;在各该孔内形成内部导电层填满各该孔,并且在该第一介电层上形成第一表面导电层;图案化该第一表面导电层,以暴露出该第一介电层;在该第一表面导电层与该第一介电层上形成第一绝缘图层;进行薄化工艺,将该晶片的该第二表面薄化,以暴露出各该孔内的该内部导电层;在该晶片的该第二表面形成第二介电层,然后图案化该第二介电层,该第二介电层包含有多个第二开口对应在该第二表面的这些孔;在该第二介电层上形成第二表面导电层填满各该第二开口,然后图案化该第二表面导电层;以及在该第二表面导电层与该第二介电层上形成第二绝缘图层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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