[发明专利]薄膜晶体管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710085728.9 | 申请日： | 2007-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101034718A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 永田一志;坂本孝雄;中川直纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L23/532;H01L21/336;H01L21/31;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够谋求降低薄膜晶体管的性能分散的薄膜晶体管装置及其制造方法。本发明的薄膜晶体管装置具有：薄膜晶体管，在绝缘衬底(1)上具有包括源极区域(2a)、漏极区域(2b)以及沟道区域(2c)的硅层(2)、栅极绝缘层(3)、栅电极(4)；层间绝缘层(5)，覆盖薄膜晶体管；布线(7)，通过设置在所述层间绝缘层(5)上的接触孔(6)与所述源极区域(2a)、漏极区域(2b)以及栅电极(4)电连接。具有覆盖布线(7)以及层间绝缘层(5)、用于缓和布线(7)以及层间绝缘层(5)的表面凹凸的第一上部绝缘层(8a)和覆盖第一上部绝缘层(8a)的第二上部绝缘层(8b)，第二上部绝缘层(8b)的氢扩散系数比第一上部绝缘层(8a)的氢扩散系数小。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管装置，具有：薄膜晶体管，在绝缘衬底上具有包括源极区域、漏极区域以及沟道区域的硅层、栅极绝缘层、栅电极；层间绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管；布线，通过设置在所述层间绝缘层上的接触孔，与所述源极区域、漏极区域以及所述栅电极电连接，其特征在于，具有覆盖所述布线以及层间绝缘层的、用于缓和所述布线的台阶差以及层间绝缘层的表面凹凸的第一上部绝缘层和覆盖所述第一上部绝缘层的第二上部绝缘层，第二上部绝缘层的氢扩散系数比第一上部绝缘层的氢扩散系数小。
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