[发明专利]用于减小MEMS器件上的薄膜应力的隔离方案无效
| 申请号： | 200710086046.X | 申请日： | 2007-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101081691A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | G·C·布朗;C·H·拉恩 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘华联 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种电隔离MEMS器件的方法。在一个实例中，具有暴露的硅区的压敏电阻压力传感器经受了硅的局部氧化(LOCOS)处理。用LOCOS工艺产生了电绝缘结构。该绝缘结构与压敏电阻压力传感器具有圆形的或弯曲的界面。该弯曲的界面减轻了伴随着暴露到高温和高压下的应力。此外，构图电绝缘线使得其具有弯曲角度，进一步减轻了应力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减小 mems 器件 薄膜 应力 隔离 方案 | ||
【主权项】：
1、一种为包括待氧化的硅区的微电子机械系统(MEMS)器件提供电隔离的方法，该方法包括：在MEMS器件的顶部形成掩模层，该掩模层基本上覆盖了MEMS器件并限定了硅区的暴露部分；和通过硅的局部氧化(LOCOS)工艺在硅区的顶部生长二氧化硅(SiO2)层，其中硅区被消耗以形成SiO2层，该SiO2层和硅区包括弯曲界面，该弯曲界面在LOCOS工艺中形成，并降低了与暴露在高温和高压下有关的膜应力。
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