[发明专利]合并器件的形成方法和设计方法无效
| 申请号： | 200710086275.1 | 申请日： | 2002-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101064308A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 理查得·A·布兰查德;石甫渊;苏根政 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种合并器件的形成方法，包括：形成多个肖特基二极管单元；以及形成多个MOSFET单元，其中所述肖特基二极管单元位于沟槽网络的底部，其中所述MOSFET单元的栅极区包括导电区和绝缘区，其中某些所述栅极区提供在所述沟槽网络的侧壁上，以及其中不需要借助掩模层，形成所述栅极区的所述导电区。一种合并器件的设计方法，合并器件包括多个肖特基二极管单元以及多个MOSFET单元，所述方法包括：除去沟槽MOSFET器件设计内的一个或多个源/本体台面，以及在除去的台面以前设置的位置处设置一个或多个肖特基二极管单元。 | ||
| 搜索关键词： | 合并 器件 形成 方法 设计 | ||
【主权项】：
1.一种合并器件的形成方法，包括：形成多个肖特基二极管单元；以及形成多个MOSFET单元，其中所述肖特基二极管单元位于沟槽网络的底部，其中所述MOSFET单元的栅极区包括导电区和绝缘区，其中某些所述栅极区提供在所述沟槽网络的侧壁上，以及其中不需要借助掩模层，形成所述栅极区的所述导电区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
