[发明专利]非晶硅金属诱导晶化方法

摘要

本发明提供一种非晶硅金属诱导晶化方法。以非晶硅为初始材料，通过对非晶硅上LTO进行光刻制备出相应的图案。其中面积较大的被称作定位孔，面积较小的被称作镍源补充孔。然后沉积微量镍，诱导产生大晶粒的多晶硅。特别是，金属被引入非晶材料上的选定位置，其浓度略高于开始发生诱导晶化的最低浓度，在其他的位置引入金属，但其浓度小于发生诱导晶化的浓度，可为保证晶化速度和结晶质量提供诱导金属。如上设置的金属元素引入后，对非晶薄膜进行热退火。结果会形成大晶粒尺寸并按设计排列的多晶硅薄膜。用该方法可以制备出高均匀性，高质量的多晶硅薄膜，且工艺重复性好。

主权项

1.一种制备多晶硅薄膜的方法，至少包括步骤：·在衬底上沉积第一层非晶硅薄膜，·在第一层非晶硅薄膜上形成第二层薄膜，·在所述第二层薄膜上形成图案，所形成的图案是由非晶硅暴露区和非暴露区组成的，·在所述第二层薄膜和非晶硅暴露区上沉积含金属镍的薄膜，·去掉所述第二层薄膜，·进行热退火，在退火过程中，非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。