[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 200710086853.1 | 申请日: | 2007-03-19 |
公开(公告)号: | CN101038898A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | 仓持俊幸 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体器件,其中半导体元件10被安装在衬底12的一个焊盘形成表面上,在半导体元件10中多个电极接线端16沿外边沿形成在除中心及其附近之外的沿外边沿预定宽度的区域内,在衬底12的焊盘形成表面上形成了与电极接线端16的每一个相应的焊盘14,并且半导体元件10与衬底12之间的连接部分26被一种填充材料24密封起来。在半导体器件中,围绕一内部区域28形成了一护壁20,从而将一连接部分26所在的连接部分区域与位于与该连接部分区域相比内侧的内部区域28分隔开,并且该连接部分区域被填充材料24密封起来,并且,在被护壁20围绕的衬底12的内部区域28中形成了贯穿衬底12的多个过孔22。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:半导体元件,其具有沿外边沿形成在除中心之外的沿外边沿预定宽度的区域内的多个电极接线端;衬底,其具有与所述电极接线端的每一个相对应的焊盘,该衬底具有焊盘形成表面,在此焊盘形成表面上形成有焊盘并安装有所述半导体元件;护壁,其围绕一内部区域,并且将一连接部分区域与所述内部区域分隔开,所述连接部分区域具有位于所述半导体元件的电极接线端的每一个与所述衬底的焊盘之间的连接部分,所述内部区域与所述连接部分区域相比位于内侧;以及填充材料,其由热固树脂制成并用来密封所述连接部分区域。
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