[发明专利]混合等离子体反应器

摘要

提供了一种混合等离子体反应器。所述混合等离子体反应器包括ICP(感性耦合等离子体)源单元和偏移RF(射频)电源单元。所述ICP源单元包括腔室，天线线圈单元，以及源电源单元。所述腔室包括顶部开口的腔室主体以及覆盖所述腔室主体的开口顶部的介电窗口。所述天线线圈单元置于所述介电窗口的外侧。所述源电源单元提供源电源给所述天线线圈单元。所述偏移RF电源单元提供偏移RF功率给阴极。所述阴极安装在所述腔室内，并且在所述阴极的顶部上安装目标晶圆。

主权项

1.一种混合等离子体反应器，包括：ICP源单元，所述ICP源单元包括：腔室，所述腔室包括顶部开口的腔室主体以及覆盖所述反应室主体的开口顶部的介电窗口；天线线圈单元，置于所述介电窗口外侧；以及源电源单元，用于提供源电源给所述天线线圈单元；以及偏移RF电源单元，用于提供偏移RF功率给阴极，所述阴极安装在所述腔室内，并且在阴极的顶部上安装目标晶圆，其中当大于设定功率的源电源被提供给所述天线线圈单元时所述腔室内的等离子体离子密度大于当小于所述设定功率的源电源被提供给所述天线线圈单元时所述腔室内的等离子体离子密度，其中当小于所述设定功率的源电源被提供给所述天线线圈单元时所述腔室内的等离子体离子能量大于当大于所述设定功率的源电源被提供给所述天线线圈单元时所述腔室内的等离子体离子能量，以及其中为了提高所述设定功率并且扩展所述源电源的可调范围，所述偏移RF电源单元提供混合了高频RF功率和低频RF功率的偏移RF功率给阴极，从而对当提供给所述天线线圈单元的源电源增加到大于所述设定功率时发生的所述腔室内的等离子体离子能量突然降低进行补偿，或者从而将所述腔室内的等离子体离子密度和能量保持在设定范围内。