[发明专利]具有SONOS结构的非易失性存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710086975.0 | 申请日： | 2007-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101101925A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 严在哲 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有SONOS结构的非易失性存储器及其制备方法，其中在SONOS结构的电荷捕获层与阻挡绝缘层之间形成导电层。因此，当对栅极施加电压时，导电层发生电压分配。因而，可以通过控制阻挡绝缘层的有效氧化物厚度(EOT)以及控制电荷捕获层和隧道绝缘层的EOT从而对阻挡绝缘层、电荷捕获层和隧道绝缘层施加所需的电压。因此，可以改善单元的擦除速度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 sonos 结构 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，包含：在半导体衬底上形成的隧道绝缘层；在隧道绝缘层上形成的电荷捕获层；在电荷捕获层上形成的阻挡栅；在阻挡栅上形成的阻挡绝缘层；和在阻挡绝缘层上形成的栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710086975.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
