[发明专利]具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层无效
申请号: | 200710087380.7 | 申请日: | 2007-04-03 |
公开(公告)号: | CN101281259A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 张正杰 | 申请(专利权)人: | 智盛全球股份有限公司 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层,该抗反射涂层表层的物质为一可穿透的表面导电层,该可穿透的表面导电层的光反射率低于0.5%,该抗反射涂层的阻抗介于每平方米0.5Ω与0.7Ω之间,且其穿透率为55%至70%。 | ||
搜索关键词: | 电阻 功能 可穿透 导电 外层 反射 涂层 | ||
【主权项】:
1. 一种具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层,其特征在于,包括有:一基板;一第十五层,设置在该基板的一前表面,其由一高折射率的氧化物所构成,物理厚度介于20nm和40nm间;一第十四层,设置在该第十五层上,其由一低折射率的金属物质所构成,物理厚度介于8nm和12nm间;一第十三层,设置在该第十四层上,其由一高折射率的氧化物所构成,物理厚度介于30nm和80nm间;一第十二层,设置在该第十三层上,其由一低折射率的金属物质所构成,物理厚度介于8nm和12nm间;一第十一层,设置在该第十二层上,其由一高折射率的氧化物所构成,物理厚度介于30nm和80nm间;一第十层,设置在该第十一层上,其由一低折射率的金属物质所构成,物理厚度介于8nm和12nm间;一第九层,设置在该第十层上,其由一高折射率的氧化物所构成,物理厚度介于30nm和80nm间;一第八层,设置在该第九层上,其由一低折射率的金属物质所构成,物理厚度介于8nm和12nm间;一第七层,设置在该第八层上,其由一高折射率的氧化物所构成,物理厚度介于30nm和80nm间;一第六层,设置在该第七层上,其由一低折射率的金属物质所构成,物理厚度介于8nm和12nm间;一第五层,设置在该第六层上,其由一高折射率的氧化物所构成,物理厚度介于30nm和80nm间;一第四层,设置在该第五层上,其由一低折射率的金属物质所构成,物理厚度介于8nm和12nm间;一第三层,设置在该第四层上,其由一高折射率的氧化物所构成,物理厚度介于30nm和80nm间;一第二层,设置在该第三层上,其由一低折射率的金属物质所构成,物理厚度介于8nm和12nm间;以及一第一层,设置在该第二层上,其由一高折射率的氧化物所构成,物理厚度介于20nm和40nm间;其中该第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十一层和第十三层由SnO:Sb所构成,该第二层、第四层、第六层、第八层、第十层、第十二层和第十四层由银所构成,该第十五层由TiO2所构成。
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