[发明专利]半穿透半反射式像素结构有效
申请号: | 200710087628.X | 申请日: | 2007-03-02 |
公开(公告)号: | CN101256323A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 郭建忠;陈健忠;黄敬佩;刘锦璋 | 申请(专利权)人: | 胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/133 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 台湾省台中县潭子*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种适于配置于一基板上的半穿透半反射式像素结构。此半穿透半反射式像素结构包括栅极层、栅绝缘层、沟道层、半穿透导电层、保护层以及第二半穿透膜。栅极层配置于基板上而栅绝缘层也配置于基板上,并且栅绝缘层覆盖住栅极层。位于栅极层上方的沟道层配置于栅绝缘层上。半穿透导电层配置于沟道层的部份区域以及栅绝缘层的部分区域上。其中,半穿透导电层包括源极、漏极以及与漏极连接的第一半穿透膜。保护层配置于半穿透导电层以及部份沟道层上。并且,位于第一半穿透膜上方的第二半穿透膜配置于保护层的部份区域上。 | ||
搜索关键词: | 穿透 反射 像素 结构 | ||
【主权项】:
1. 一种半穿透半反射式像素结构,适于配置于一基板上,该半穿透半反射式像素结构包括:一栅极层,配置于该基板上;一栅绝缘层,配置于该基板上,并且该栅绝缘层覆盖住该栅极层;一沟道层,配置于该栅绝缘层上,且该沟道层位于该栅极层的上方;一半穿透导电层,配置于该沟道层的部份区域以及该栅绝缘层的部分区域上,其中该半穿透导电层包括一源极、一漏极以及与该漏极连接的一第一半穿透膜;一保护层,配置于该半穿透导电层以及部份该沟道层上;以及一第二半穿透膜,配置于该保护层的部份区域上,其中该第二半穿透膜位于该第一半穿透膜上方。
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