[发明专利]位线上电容器及其下电极的制造方法无效

专利信息
申请号: 200710087776.1 申请日: 2007-03-19
公开(公告)号: CN101271867A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 林宗德;李政哲 申请(专利权)人: 茂德科技股份有限公司
主分类号: H01L21/8242 分类号: H01L21/8242;H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种位线上电容器的制造方法,包括先提供一个基底,再于基底上形成多条字线。然后,形成分别位于字线之间的多个接地插塞接触窗,再分别在接地插塞接触窗上形成多个第一接触窗。之后,同时于部分第一接触窗上形成多个第二接触窗以及形成分别连接部分第一接触窗的多条位线,然后再于基底表面形成一层内层介电层,以覆盖位线与第二接触窗。随后,在内层介电层中形成多个电容器。上述方法能够达成简化工艺的功效。
搜索关键词: 线上 电容器 及其 电极 制造 方法
【主权项】:
1. 一种电容器下电极的制造方法,包括:提供基底,至少具有有源区与环绕该有源区的隔离区;于该基底上形成多条字线横越该有源区;于该些字线之间形成多个接地插塞接触窗(landing plug contact,LPC);同时在该有源区上的该接地插塞接触窗上形成至少一电容端下接触窗(lower contact)以及在该隔离区上的该接地插塞接触窗上形成至少一位线接触窗;同时在每个电容端下接触窗上形成电容端上接触窗(upper contact)以及在该位线接触窗上形成位线;于该基底表面形成内层介电层,以覆盖该位线与该电容端上接触窗;在该内层介电层中形成电容器开口,其中该电容器开口露出该电容端上接触窗;以及在该电容器开口的表面形成导电层。
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