[发明专利]位线上电容器及其下电极的制造方法无效
申请号: | 200710087776.1 | 申请日: | 2007-03-19 |
公开(公告)号: | CN101271867A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 林宗德;李政哲 | 申请(专利权)人: | 茂德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种位线上电容器的制造方法,包括先提供一个基底,再于基底上形成多条字线。然后,形成分别位于字线之间的多个接地插塞接触窗,再分别在接地插塞接触窗上形成多个第一接触窗。之后,同时于部分第一接触窗上形成多个第二接触窗以及形成分别连接部分第一接触窗的多条位线,然后再于基底表面形成一层内层介电层,以覆盖位线与第二接触窗。随后,在内层介电层中形成多个电容器。上述方法能够达成简化工艺的功效。 | ||
搜索关键词: | 线上 电容器 及其 电极 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种电容器下电极的制造方法,包括:提供基底,至少具有有源区与环绕该有源区的隔离区;于该基底上形成多条字线横越该有源区;于该些字线之间形成多个接地插塞接触窗(landing plug contact,LPC);同时在该有源区上的该接地插塞接触窗上形成至少一电容端下接触窗(lower contact)以及在该隔离区上的该接地插塞接触窗上形成至少一位线接触窗;同时在每个电容端下接触窗上形成电容端上接触窗(upper contact)以及在该位线接触窗上形成位线;于该基底表面形成内层介电层,以覆盖该位线与该电容端上接触窗;在该内层介电层中形成电容器开口,其中该电容器开口露出该电容端上接触窗;以及在该电容器开口的表面形成导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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