[发明专利]半导体存储设备及其方法无效
申请号: | 200710087954.0 | 申请日: | 2007-01-05 |
公开(公告)号: | CN101217058A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 吴致成;李镐哲;金南钟 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406;G11C11/4078 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇;蒲迈文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种根据外部命令信号和刷新模式而改变存取共享存储区域的存取权限的半导体存储设备及其方法。所述半导体存储设备包括:多个输入/输出端口,用来输入第一或第二模式刷新操作的命令信号;存储阵列,其包括可以通过多个输入/输出端口中的至少两个端口存取的共享存储区域,所述存储阵列划分为多个不同的存储区域;以及授权控制块,用来响应于外部命令信号分配存取所述共享存储区域的存取权限,其中所述授权控制块产生授权控制信号,其用于将存取所述共享存储区域的存取权限优先地分配给用来输入第一模式刷新操作的命令信号的输入/输出端口。能够更高效率地执行所述共享存储区域的刷新操作或普通操作。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 设备 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储设备,包括:多个输入/输出端口,用来输入第一或第二模式刷新操作的命令信号;存储阵列,其包括通过多个输入/输出端口中的至少两个端口可存取的共享存储区域,所述存储阵列划分为多个不同的存储区域;以及授权控制块,用来响应于外部命令信号分配存取所述共享存储区域的存取权限,其中所述授权控制块产生授权控制信号,其用于将存取所述共享存储区域的存取权限优先地分配给用来输入第一模式刷新操作的命令信号的输入/输出端口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710087954.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:输入系统
- 下一篇:具有电荷俘获层的非易失性存储器件及其制造方法