[发明专利]熔断后不会造成非线性电流的反熔丝及存储单元无效
| 申请号： | 200710088196.4 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101271881A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张光晔;许兴仁;何仲仁 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/112;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 反熔丝由具有掺杂载流子的沟道的晶体管形成，熔断后不会造成非线性电流，可应用于一次式编程存储器的存储单元。一次式编程存储器使用p型晶体管以及n型晶体管对反熔丝进行编程。由于反熔丝具有掺杂载流子的沟道，因此在反熔丝被熔断后电流不会流经两个掺杂区与基底之间的p/n结而形成非线性电流，使得存储单元可被正确地编程。 | ||
| 搜索关键词： | 熔断 不会 造成 非线性 电流 反熔丝 存储 单元 | ||
【主权项】：
1. 一种熔断后不会造成非线性电流的反熔丝，包含：基底；介电层，形成于该基底上；传导层，形成于该介电层上；一个第一掺杂区，形成于该介电层下方的基底中；两个第二掺杂区，形成于该基底中，位于该第一掺杂区的两侧，该两个第二掺杂区之上方未被该介电层覆盖；以及导线，耦接该两个第二掺杂区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710088196.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
