[发明专利]场效应晶体管、集成电路元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710089064.3 | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101097954A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 手塚勉;入沢寿史 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一个实施例的场效应晶体管，具有：含有Si原子的半导体衬底，形成在上述半导体衬底上、含有Si原子和Ge原子的突起结构，形成在上述突起结构内、含有Ge原子的沟道区域，形成在上述突起结构中上述沟道区域的下部、含有的Si原子和Ge原子中Ge的组成比从上述沟道区域侧到上述半导体衬底侧连续变化的沟道下部区域，形成在上述沟道区域上的栅绝缘膜，隔着上述栅绝缘膜形成在上述沟道区域上的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 集成电路 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，具有：含有Si原子的半导体衬底，形成在上述半导体衬底上、含有Si原子和Ge原子的突起结构，形成在上述突起结构内、含有Ge原子的沟道区域，形成在上述突起结构中的上述沟道区域的下部、含有的Si原子和Ge原子中Ge的组成比从上述沟道区域一侧到上述半导体衬底一侧连续变化的沟道下部区域，形成在上述沟道区域上的栅绝缘膜，隔着上述栅绝缘膜形成在上述沟道区域上的栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710089064.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：遮帘装置
- 下一篇：等离子显示装置及其驱动方法
- 同类专利
- 专利分类
