[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置(21)具备多栅极结构，形成有具备下述区域的半导体层(23)：相互分离的第一沟道区域(31)及第二沟道区域(32)、连接这两个沟道区域(31、32)的高浓度杂质区域(33)、与第一沟道区域(31)邻接并独立的源极区域(34)、和与第二沟道区域邻接并独立的漏极区域(35)。而且，在半导体层(23)上形成有栅极绝缘膜(24)、和形成在栅极绝缘膜(24)上的第一栅电极(16)及第二栅电极(17)。层间绝缘膜电容器(19)与第二栅电极(17)串联连接，其将位于第二铝布线层(27b)的一端(38)和第一栅电极(16)从平面上重叠的区域(A)的层间绝缘膜(25)作为电容器。由此可提供一种能够抑制输出电流减少并抑制漏电流流动的半导体装置。

主权项

1、一种半导体装置，其中包括：基板；第一栅电极；第二栅电极；第一沟道区域，位于所述基板和所述第一栅电极之间；第二沟道区域，位于所述基板和所述第二栅电极之间；栅极绝缘膜，至少位于所述第一沟道区域和所述第一栅电极之间、以及所述第二沟道区域和所述第二栅电极之间；第一导电部、第二导电部以及第三导电部，位于所述基板和所述栅极绝缘膜之间；和中间电极，与所述第二栅电极电连接，且与所述第一栅电极的一部分重叠，所述第一沟道区域位于所述第一导电部和所述第二导电部之间，所述第二沟道区域位于所述第二导电部和所述第三导电部之间。