[发明专利]发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710089768.0 申请日: 2007-03-26
公开(公告)号: CN101276862A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 杨于铮;郭政达;黄森彬;周理评 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 台湾省新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种发光二极管及其制造方法。此发光二极管至少包括:一导电基板具有相对的第一表面以及第二表面;一反射结构至少包括一导电反射层接合在导电基板的第一表面上、以及一导电分散式布拉格反射结构叠设在导电反射层上;一发光磊晶结构设于反射结构上;一第一电极设于部分的发光磊晶结构上;以及一第二电极接合于导电基板的第二表面。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
1. 一种发光二极管,至少包括:一导电基板,具有相对的一第一表面以及一第二表面;一反射结构,至少包括:一金属或合金反射层,接合在该导电基板的该第一表面上;以及一导电分散式布拉格反射结构,叠设在该导电反射层上;一发光磊晶结构,设于该反射结构上;一第一电极,设于部分的该发光磊晶结构上;以及一第二电极,接合于该导电基板的该第二表面。
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