[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
申请号: | 200710089768.0 | 申请日: | 2007-03-26 |
公开(公告)号: | CN101276862A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 杨于铮;郭政达;黄森彬;周理评 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。此发光二极管至少包括:一导电基板具有相对的第一表面以及第二表面;一反射结构至少包括一导电反射层接合在导电基板的第一表面上、以及一导电分散式布拉格反射结构叠设在导电反射层上;一发光磊晶结构设于反射结构上;一第一电极设于部分的发光磊晶结构上;以及一第二电极接合于导电基板的第二表面。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种发光二极管,至少包括:一导电基板,具有相对的一第一表面以及一第二表面;一反射结构,至少包括:一金属或合金反射层,接合在该导电基板的该第一表面上;以及一导电分散式布拉格反射结构,叠设在该导电反射层上;一发光磊晶结构,设于该反射结构上;一第一电极,设于部分的该发光磊晶结构上;以及一第二电极,接合于该导电基板的该第二表面。
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