[发明专利]官能化杂并苯和由其产生的电子器件有效
| 申请号： | 200710089882.3 | 申请日： | 2007-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101050269A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | Y·李;Y·吴;B·S·翁;P·刘 | 申请（专利权）人： | 施乐公司 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;C07D333/52;C08J7/02;H01L51/00;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;赵苏林 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子器件，如包含例如通式(I)的半导体的薄膜晶体管，其中R表示烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或合适的烃；每个R1和R2独立地是氢(H)、合适的烃、含杂原子的基团或卤素；R3和R4独立地是合适的烃、含杂原子的基团或卤素；x和y表示基团的数目；Z表示硫、氧、硒或NR′，其中R′是氢、烷基或芳基；并且n和m表示重复单元的数目。 | ||
| 搜索关键词： | 官能 产生 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种包括半导材料的电子器件，该半导材料包含通式(I)的组分：![]()
其中R表示烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或合适的烃；每个R1和R2独立地是氢、合适的烃、含杂原子的基团或卤素；R3和R4独立地是合适的烃、含杂原子的基团或卤素；x和y表示基团的数目；Z表示硫、氧、硒或NR′，其中R′是氢、烷基或芳基；并且n和m表示重复单元的数目。
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