[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200710090878.9 | 申请日： | 2007-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101055832A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 二瀬卓也;津金秀明;木本美津男;铃木秀典 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/3065;H01L21/324;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明通过减小硅化镍层的电气特性的不均，可以提高半导体元件的可靠性和制造良品率。将半导体晶圆SW放置在成膜装置的干洗处理用的腔室27所具备的晶圆载物台27a上后，供给还原气体，对半导体晶圆SW的主面进行干洗处理，接着，利用温度维持在180℃的喷头27c，在100至150℃的第1温度下，对半导体晶圆SW进行热处理。其次，将半导体晶圆SW从腔室27真空搬运到热处理用的腔室中后，在此热处理用的腔室中，以150至400℃的第2温度对半导体晶圆SW进行热处理，由此去除残留在半导体晶圆SW的主面上的生成物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于利用自行对准反应来形成硅化镍层，且在硅上堆积镍膜之前，包含以下工序：(a)将半导体晶圆放置到第1腔室所具有的晶圆载物台上的工序；(b)通过设置在所述晶圆载物台上方的喷头来供给还原气体，对所述半导体晶圆的主面上的所述硅的表面进行干洗处理的工序；(c)以利用了所述喷头的加热温度的第1温度来对所述半导体晶圆进行热处理的工序；(d)将所述半导体晶圆从所述第1腔室搬运到第2腔室的工序；以及(e)在所述第2腔室中，以高于所述第1温度的第2温度来对所述半导体晶圆进行热处理的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技，未经株式会社瑞萨科技许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710090878.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：燃料电池车辆的冷却装置
- 下一篇：岩石钻头
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
