[发明专利]闪存的二维数据写入方法及装置无效

专利信息
申请号: 200710090896.7 申请日: 2007-04-11
公开(公告)号: CN101286135A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 陈明胜 申请(专利权)人: 宇瞻科技股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 余朦;方挺
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种闪存的二维数据写入方法及装置,该结构主要包括多个闪存模块及一个控制模块,各闪存模块电连接控制模块。控制模块进一步包括多个缓存及一个处理单元,各缓存分别电连接各闪存模块,各缓存还共同电连接处理单元。该处理单元用以对各闪存模块形成多个记忆区间的规划,并且同时赋予不同闪存模块的各记忆区间的存取顺序,从而形成二维存取顺序。处理单元将数据切割成数据包后,依序传至不同缓存,然后由各缓存同时写入所对应连接的记忆区间,由此加快该固态储存装置的存取时间。
搜索关键词: 闪存 二维 数据 写入 方法 装置
【主权项】:
1.一种闪存的二维数据写入方法,其结构主要包括多个闪存模块,所述闪存模块是由多个记忆盘构成,所述闪存模块分别电连接缓存,所述缓存电连接处理单元,所述写入方法的步骤包括:a)设定所述闪存模块数组的每个记忆区间的地址,所述地址顺序依每个所述闪存模块的顺序而定,对每个对应所述记忆盘的每个所述对应记忆区间依序循环编号;b)切割待存数据为多个不大于一个所述记忆区间容量的数据包;c)将数据包按照各所述记忆区间的顺序写入。
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