[发明专利]显示面板及其制造方法无效
申请号: | 200710091168.8 | 申请日: | 2007-04-11 |
公开(公告)号: | CN101140939A | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
发明(设计)人: | 丁采祐;李正浩;李庸羽 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;李友佳 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种显示面板,该显示面板具有含有凹陷的保护膜。在平面图中,凹陷布置在存储电极上方并对应于存储电极的位置。在平面图中,凹陷的宽度大于存储电极的宽度,像素电极布置在保护膜上。通过存储在像素电极和存储电极中的电荷形成的存储电容器的电容由保护膜的厚度、像素电极和存储电极的叠置面积来确定。 | ||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管基底,包括:薄膜晶体管,布置在基底上,其中,所述薄膜晶体管包括栅电极、布置在所述栅电极上的第一绝缘膜、布置在所述第一绝缘膜上的有源层以及布置在所述有源层上的源电极和漏电极;存储电极,布置在所述基底上;第二绝缘膜,布置在所述薄膜晶体管上;凹陷,形成在所述第二绝缘膜中;像素电极,布置在所述第二绝缘膜和所述凹陷上,其中,所述像素电极连接到所述薄膜晶体管,其中,所述凹陷的宽度大于所述存储电极的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的