[发明专利]高性能应力增强MOSFET及制造方法有效
| 申请号： | 200710091370.0 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101064285A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | D·奇丹巴拉奥;R·A·道纳顿;W·K·汉森;K·林 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/8238;H01L27/12;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构和制造方法，更具体地说，一种CMOS器件，具有嵌入两个栅极并且还嵌入PFET的源极和漏极区域中的应力引起材料。PFET区域和NFET区域具有不同尺寸的栅极，以改变NFET和PFET的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 应力 增强 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，包括如下步骤：在P型场效应晶体管(PFET)沟道区域和N型场效应晶体管(NFET)沟道区域中，同时形成具有下应力引起材料的分层结构；在所述NFET和PFET沟道区域上形成不同尺寸的侧壁隔离物；以及在包括对应于侧壁隔离物的不同尺寸的沟道长度的所述NFET沟道区域和所述PFET沟道区域中蚀刻岛，其中所述NFET的沟道长度在所述NFET沟道区域中产生比在所述PFET沟道区域中高的所得应力成分；以及在所述PFET沟道区域的蚀刻部分中形成应力引起材料，在所述PFET沟道区域中产生与所述NFET沟道区域相反的应力成分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
