[发明专利]互补金属氧化物半导体及其形成方法

摘要

本发明提供了使用能够在栅极电介质/多晶硅栅极界面提供高浓度的掺杂剂原子的气相掺杂工艺来控制CMOS结构中的多晶硅耗尽效应的方法，及使用该方法制作的包括如nFET与/或pFET的CMOS结构。所述方法包括：在位于半导体衬底上的栅极电介质表面上形成第一包含多晶硅的材料，第一包含多晶硅的材料厚度约50nm以下且与栅极电介质形成界面；通过气相掺杂将掺杂剂原子引入第一包含多晶硅的材料；在第一包含多晶硅的材料上形成掺杂的第二包含多晶硅的材料，掺杂的第二包含多晶硅的材料厚度大于第一包含多晶硅的材料；以及在半导体衬底上形成至少一个FET，至少一个FET包括自底部向顶部包含电极电介质、第一包含多晶硅的材料和第二包含多晶硅的材料的图案化叠层。

主权项

1.一种形成互补金属氧化物半导体结构的方法，包括：在位于半导体衬底上的栅极电介质表面上形成第一包含多晶硅的材料，所述第一包含多晶硅的材料厚度约50nm以下且与所述栅极电介质形成界面；通过气相掺杂将掺杂剂原子引入所述第一包含多晶硅的材料；在所述第一包含多晶硅的材料上形成掺杂的第二包含多晶硅的材料，所述掺杂的第二包含多晶硅的材料厚度大于第一包含多晶硅的材料；以及在所述半导体衬底上形成至少一个场效应晶体管，所述至少一个场效应晶体管包括自底部向顶部包含所述电极电介质、所述第一包含多晶硅的材料和所述第二包含多晶硅的材料的图案化叠层。