[发明专利]GaN晶体衬底无效
| 申请号： | 200710092177.9 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101070619A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 藤田俊介;笠井仁 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种GaN晶体衬底，具有其上生长晶体的晶体生长表面(10c)和与晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)。晶体生长表面(10c)具有至多10nm的粗糙度Ra(C)，以及后面表面(10r)具有至少0.5μm和至多10μm的粗糙度Ra(R)，以及该表面粗糙度Ra(R)与表面粗糙度Ra(C)的比率Ra(R)/Ra(C)至少是50。因此，可以在而不损害GaN晶体衬底上生长的半导体层的形态条件下，提供其中可区分其前和后表面的GaN晶体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | gan 晶体 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种GaN晶体衬底，具有：其上生长晶体的晶体生长表面(10c)；以及与所述晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)，其中所述晶体生长表面(10c)具有至多10nm的粗糙度Ra(C)，以及所述后表面(10r)具有至少0.5μm和至多10μm的粗糙度Ra(R)，以及所述表面粗糙度Ra(R)与所述表面粗糙度Ra(C)的比率Ra(R)/Ra(C) 至少是50。
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