[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

公开一种具有非易失存储器的半导体器件，其干扰缺陷能得到减少或防止。非易失存储器的存储单元具有存储栅电极，该存储栅电极通过用于电荷存储的绝缘膜而在半导体衬底的主表面上方形成。在存储栅电极的侧面上形成第一侧壁，并且在第一侧壁的侧面处形成第二侧壁。在存储单元中源极的n⁺型半导体区域的上表面上形成硅化层，其在存储栅电极MG侧上的端部分由第二侧壁限定。

主权项

1.一种半导体器件，包括在半导体衬底的主表面上方的多个非易失存储单元，各所述非易失存储单元包括：用于电荷存储的绝缘膜，在所述半导体衬底上方形成；第一栅电极，在所述用于电荷存储的绝缘膜上方形成，并且具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和第二侧面沿所述半导体衬底的所述主表面定位在相互相对侧上；第一绝缘膜，在所述第一栅电极的所述第一侧面上方形成；第二绝缘膜，在所述第一绝缘膜的侧面上方形成；第一半导体区域，以与所述第一栅电极的所述第一侧面自对准的方式，在所述半导体衬底的所述主表面上方形成；第二半导体区域，以与所述第一绝缘膜的侧面自对准的方式，在所述半导体衬底的所述主表面上方形成，使得与所述第一半导体区域电耦合；和第一硅化层，以与所述第二绝缘膜的侧面自对准的方式，在所述第二半导体区域上方形成，在与所述第一半导体区域和所述第二半导体区域之间的接合端隔开的位置处，通过所述第二绝缘膜形成的所述第一硅化层的所述第一栅电极侧上的端部分。