[发明专利]侧链含芘类衍生物的聚氧硅烷荧光高分子材料及制备方法无效

专利信息
申请号: 200710092983.6 申请日: 2007-11-15
公开(公告)号: CN101173046A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 晏华;王雪梅;余荣升;朱霞 申请(专利权)人: 中国人民解放军后勤工程学院
主分类号: C08G77/42 分类号: C08G77/42;C09K11/06
代理公司: 重庆华科专利事务所 代理人: 康海燕
地址: 400016重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明涉及一种含芘类衍生物的聚氧硅烷荧光高分子材料和制备方法,将具有氧猝灭特性的芘类衍生物,通过氢化硅烷化反应,接枝到聚氧硅烷上,构成具有氧猝灭特性的本征型聚氧硅烷荧光高分子材料。其结构通式如右所示,其中Y为键桥,可以为酯基、偶氮基、酰胺基、醚基等基团,n和m为柔性间隔的数目,n=2~10,m=3、4。与现有技术相比,本发明从根本上解决作为压敏涂料中分子探针的芘类荧光物质的热稳定性、储存稳定性和荧光物质分布不均匀等问题。
搜索关键词: 侧链含芘类 衍生物 硅烷 荧光 高分子材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种侧链含芘类衍生物的聚氧硅烷荧光高分子,其结构通式如下:其中,X为聚合度,Y为键桥,为酯基、偶氮基、酰胺基或醚基基团,n和m为柔性间隔的数目,n=2~10,m=3、4。
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