[发明专利]光刻处理单元和器件制造方法有效
| 申请号： | 200710093694.8 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101051189A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | S·G·克鲁斯维杰克;J·G·利明 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘华联 |
| 地址： | 荷兰费*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种用于器件制造的双重处理技术，包括，执行第一图案形成步骤，以便在光刻胶层中形成孔，在第一光刻胶层被剥离并被第二次曝光中所用的第二光刻胶层取代之前，对所述孔进行填充。在一个实施例中，光刻单元包括集成在一起的填充和/剥离单元，并且其可被用于执行上述技术。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 处理 单元 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻单元，包括：光刻装置；多个处理装置，所述多个处理装置包括填充装置或者剥离装置，或者同时包括填充装置及剥离装置；以及控制器，其配置成用于控制所述光刻装置和处理装置这两者。
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