[发明专利]提高沟槽型双层栅功率MOS两多晶硅间击穿电压的方法有效
| 申请号： | 200710093843.0 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101315894A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 马清杰;金勤海;缪进征 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周赤 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高沟槽型双层栅功率MOS两多晶硅间击穿电压的方法，该方法包括：(1)沟槽刻蚀采用90度刻蚀工艺；(2)第一层多晶硅的淀积和刻蚀工艺为：先生长不掺杂的多晶硅，后对该多晶硅进行掺杂，最后刻蚀掺杂后的多晶硅。根据本发明的方法步骤制备的功率MOS器件，两层多晶硅之间的击穿电压得到很大的提高，并且器件的电性能的均匀性也可以得到大幅度提高，可广泛应用于沟槽型双层栅功率MOS器件的制备中。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 沟槽 双层 功率 mos 多晶 击穿 电压 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高沟槽型双层栅功率MOS两多晶硅间击穿电压的方法，该功率MOS器件制备工艺包括沟槽刻蚀、第一层多晶硅的淀积和刻蚀、高密度等离子体氧化膜的淀积和刻蚀、栅氧生长、第二层多晶硅的生长和刻蚀、及沟道体、源区、接触孔、金属层、钝化层形成，其特征在于：(1)所述沟槽为90度沟槽；(2)所述第一层多晶硅的淀积和刻蚀工艺为：先淀积不掺杂的多晶硅，后对所述不掺杂的多晶硅进行磷掺杂，最后刻蚀掺杂后的多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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