[发明专利]氮化镓基LED大功率芯片的制备工艺

摘要

本发明公开了一种氮化镓基LED大功率芯片的制备工艺，其采用两步干法刻蚀工艺，包括：第一步主刻蚀，采用Cl2和Ar的混合气体作刻蚀气体，刻蚀出N－GaN层；第二步，在第一步刻蚀完成后，通入BCl3和N2的混合气体作刻蚀气体，刻蚀掉0.05～0.15um厚的N－GaN层。本发明的制备工艺还包括在衬底背面依次蒸镀三层金属膜，先镀一与蓝宝石衬底黏附性好的第一金属膜，接着镀一金属反射的第二金属膜，最后蒸镀一保护金属的第三金属膜。通过上述工艺制备的氮化镓基LED大功率芯片出光率提升约30％，1000小时内的光强衰减降低约10％，且开启电压变小，同一衬底上的制备的氮化镓基LED芯片具有更好的均匀性和稳定性。本发明可应用于氮化镓基LED制备过程中。

主权项

1、一种氮化镓基LED大功率芯片的制备工艺，该工艺包括在蓝宝石衬底上外延生长氮化镓基发光二极管晶片、蒸镀透明电极、干法刻蚀N-GaN台阶、P区和N区电极制备、钝化层形成及减薄后LED芯片背面沉积金属层，其特征在于：所述干法刻蚀N-GaN台阶分两步，第一步主刻蚀，采用Cl2和Ar的混合气体作刻蚀气体，刻蚀出N-GaN层；第二步，在第一步刻蚀完成后，通入BCl3和N2的混合气体作刻蚀气体，刻蚀掉0.05～0.15um厚的N-GaN层。