[发明专利]半导体晶圆制造中金属间介质填充方法

摘要

本发明公开了一种半导体晶圆制造中金属间介质填充方法，通过在O3TEOS SACVD二氧化硅主沉积层的上下两处，分别使用SACVD方法在同一反应腔内沉积一层张应力和厚度均小于所述主沉积层的过渡层二氧化硅(buffer layer)，从而得到从压应力到张应力的柔性过渡，使得不同层的应力在多个交界面之间缓慢释放，从而达到在不同应力类型的交界面处的作用力累计成倍减少，最终保证整个二氧化硅薄膜的连续性。因此，本发明所述方法不仅满足了对IMD填充能力的要求，而且有效消除了交界面处的孔洞，而且该方法也不会额外增加制造成本。

主权项

1、一种半导体晶圆制造中金属间介质填充方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)通过反应腔体，在底层PECVD二氧化硅薄膜(301)上沉积第一SACVD二氧化硅过渡层(302)；(2)在所述反应腔体内不破真空的情况下，在所述第一二氧化硅过渡层(302)上，沉积SACVD二氧化硅主沉积层(303)；(3)同样在所述反应腔体内不破真空情况下，在所述SACVD二氧化硅主沉积层(303)上，再沉积一层第二SACVD二氧化硅过渡层(304)；(4)在所述第二SACVD二氧化硅过渡层(304)上，使用PECVD方法，淀积顶层PECVD二氧化硅薄膜(305)；其中，所述第一SACVD二氧化硅过渡层(302)和第二SACVD二氧化硅过渡层(304)的张应力和厚度均小于所述SACVD二氧化硅主沉积层(303)的张应力和厚度，且所述SACVD二氧化硅主沉积层(303)厚度在1500～3000范围内。